InGaAs APD moduli

Model: GD6510Y/ GD6511Y/ GD6512Y

Kratki opis:

To je indijum galij arsenid lavinski fotodiodni modul sa krugom za pretpojačavanje koji omogućava pojačanje slabog strujnog signala i pretvaranje u naponski signal kako bi se postigao proces konverzije foton-fotoelektričnog pojačanja signala.

dobiti ponudu Skinuti

Technical Parameter

Oznake proizvoda

Karakteristike

Prednji osvijetljeni ravni čip
Odaziv velike brzine
Visoka osjetljivost detektora

Prijave

Laserski raspon
Laserska komunikacija
Lasersko upozorenje

Fotoelektrični parametar（@Ta=22±3℃）

Stavka br.	Kategorija paketa	Prečnik fotoosjetljive površine (mm)	Spektralni opseg odziva (nm)	Probojni napon (V)	Responsibility M=10 λ=1550nm (kV/W)	Rising time (ns)	Bandwidth (MHz)	Temperaturni koeficijent T_a=-40℃～85℃ (V/℃)	Ekvivalentna snaga buke (pW/√Hz)	Koncentričnost (μm)	Zamijenjen tip u drugim zemljama
GD6510Y	TO-8	0.2	1000～1700	30～70	340	5	70	0.12	0.15	≤50	C3059-1550-R2A
GD6511Y		0.5				10	35		0.21		−
GD6512Y		0.08				2.3	150		0.11		C3059-1550-R08B